한국전기연구원는 전력반도체연구센터 방욱, 나문경 박사팀이 전력반도체용 탄화규소 소재 결함을 조기에 분석하고 평가할 수 있는 획기적인 기술을 국내 처음으로 개발했다고 8일 밝혔다.

SiC는 PL 방출 효율이 낮은 간접형 반도체 물질로, 장비로 신호 검출이 어려웠지만 KERI는 광학 검사장비 전문 업체인 ㈜에타맥스와 협업을 통해 PL 손실을 줄이는 등 노력으로 '전력반도체용 SiC 소재 결함 분석 장비' 개발에 성공했다.

이 분석 장비는 검사 대상 및 평가 항목에 따라 2개의 다른 파장 빛을 선택해서 표면과 내부 결함을 검출하는 일본 제품과 달리 단 하나의 레이저 파장만으로도 SiC 소재의 파괴없이 내부의 다양한 결함을 검사할 수 있어 검사 정밀도 등 장비 성능은 일본 장비보다 동등 이상의 수준을 보였다.